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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB

总分
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

总分
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 14.8
    测试中的平均数值
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 66
    左右 -94% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.0 left arrow 1,557.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    2,775.5 left arrow 14.8
  • 写入速度，GB/s
    1,557.9 left arrow 11.0
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    382 left arrow 2652

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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内存RAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
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内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Kingston KTP9W1-MID 16GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
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