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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
66
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
33
读取速度,GB/s
2,775.5
14.5
写入速度,GB/s
1,557.9
9.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2543
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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