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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

总分
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

总分
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 14.1
    测试中的平均数值
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 66
    左右 -154% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.8 left arrow 1,557.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    2,775.5 left arrow 14.1
  • 写入速度，GB/s
    1,557.9 left arrow 8.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    382 left arrow 2359

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较

Qimonda ITC 1GB
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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内存RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
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内存RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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内存RAM
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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