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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
66
左右 -120% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
30
读取速度,GB/s
2,775.5
16.5
写入速度,GB/s
1,557.9
12.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3047
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
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Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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