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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
66
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.8
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
33
读取速度,GB/s
2,775.5
16.3
写入速度,GB/s
1,557.9
10.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2795
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
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