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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
66
左右 -89% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
35
读取速度,GB/s
2,775.5
16.2
写入速度,GB/s
1,557.9
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3246
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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