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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
66
左右 -120% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
30
读取速度,GB/s
2,775.5
18.4
写入速度,GB/s
1,557.9
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3657
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
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