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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
66
左右 -20% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
55
读取速度,GB/s
2,775.5
19.5
写入速度,GB/s
1,557.9
8.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2274
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
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