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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
66
左右 -20% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
55
读取速度,GB/s
2,775.5
19.5
写入速度,GB/s
1,557.9
8.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2274
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB RAM的比较
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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