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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
66
左右 -288% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
17
读取速度,GB/s
2,775.5
21.1
写入速度,GB/s
1,557.9
19.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3829
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
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