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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston 9905665-020.A00G 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
66
69
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.6
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
69
读取速度,GB/s
2,775.5
14.9
写入速度,GB/s
1,557.9
6.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
1678
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
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