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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston 9965589-007.D01G 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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需要考虑的原因
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
66
左右 -89% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.1
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
35
读取速度,GB/s
2,775.5
9.1
写入速度,GB/s
1,557.9
7.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2078
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
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Kingston 9965589-007.D01G 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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