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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston KMKYF9-MIH 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
66
左右 -78% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
37
读取速度,GB/s
2,775.5
13.0
写入速度,GB/s
1,557.9
9.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2187
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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