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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
11.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
1900
左右 3.37% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
66
左右 -47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
1,557.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
45
读取速度,GB/s
2,775.5
11.7
写入速度,GB/s
1,557.9
8.4
内存带宽,mbps
6400
1900
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
382
2387
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
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