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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
66
左右 -164% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
25
读取速度,GB/s
2,775.5
14.8
写入速度,GB/s
1,557.9
10.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2695
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB RAM的比较
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
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Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
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