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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
66
左右 -175% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.0
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
24
读取速度,GB/s
2,775.5
20.0
写入速度,GB/s
1,557.9
17.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3911
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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