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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
66
左右 -113% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
31
读取速度,GB/s
2,775.5
15.5
写入速度,GB/s
1,557.9
12.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3031
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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Kingston 9905700-012.A00G 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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