RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
66
左右 -83% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
36
读取速度,GB/s
2,775.5
14.4
写入速度,GB/s
1,557.9
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2490
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link