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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
66
76
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.9
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
76
读取速度,GB/s
2,775.5
10.3
写入速度,GB/s
1,557.9
6.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
1260
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
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