RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

总分
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

总分
star star star star star
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    53 left arrow 66
    左右 -25% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 1,557.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 53
  • 读取速度，GB/s
    2,775.5 left arrow 10.4
  • 写入速度，GB/s
    1,557.9 left arrow 7.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    382 left arrow 2333

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较

Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB

Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
内存RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
内存RAM