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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
10
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
66
左右 -22% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
54
读取速度,GB/s
2,775.5
10.0
写入速度,GB/s
1,557.9
8.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2354
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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