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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
66
左右 -83% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
36
读取速度,GB/s
2,775.5
13.4
写入速度,GB/s
1,557.9
10.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2466
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
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Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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