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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
66
左右 -65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
40
读取速度,GB/s
2,775.5
17.5
写入速度,GB/s
1,557.9
9.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2462
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
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