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AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
67
左右 -131% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.1
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
3.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
67
29
读取速度,GB/s
6.8
11.1
写入速度,GB/s
3.6
8.1
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2057
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB RAM的比较
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
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