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AMD AE34G2139U2 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
AMD R744G2400U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
AMD R744G2400U1S 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
56
左右 -155% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
22
读取速度,GB/s
7.4
16.7
写入速度,GB/s
5.6
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2862
AMD AE34G2139U2 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
AMD R744G2400U1S 4GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
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