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AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
56
左右 -155% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
22
读取速度,GB/s
7.4
18.7
写入速度,GB/s
5.6
14.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
3291
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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