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AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
56
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
29
读取速度,GB/s
7.4
18.4
写入速度,GB/s
5.6
15.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
3723
AMD AE34G2139U2 4GB RAM的比较
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Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
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