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AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
56
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.3
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
23
读取速度,GB/s
7.4
21.3
写入速度,GB/s
5.6
16.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
4151
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
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