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AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
56
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
23
读取速度,GB/s
7.4
16.6
写入速度,GB/s
5.6
12.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2689
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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