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AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
56
左右 -51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
37
读取速度,GB/s
7.4
16.3
写入速度,GB/s
5.6
10.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2658
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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