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AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
56
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
29
读取速度,GB/s
7.4
15.3
写入速度,GB/s
5.6
11.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2810
AMD AE34G2139U2 4GB RAM的比较
AMD R938G2130U2S 8GB
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G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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