RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G2139U2 4GB
Kllisre 0000 8GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Kllisre 0000 8GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Kllisre 0000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Kllisre 0000 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
56
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.9
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Kllisre 0000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
49
读取速度,GB/s
7.4
10.9
写入速度,GB/s
5.6
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2220
AMD AE34G2139U2 4GB RAM的比较
AMD R938G2130U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kllisre 0000 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Inmos + 256MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Inmos + 256MB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Lenovo 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Lenovo 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link