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AMD AE34G2139U2 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
59
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
59
读取速度,GB/s
7.4
20.1
写入速度,GB/s
5.6
10.6
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2382
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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