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AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
56
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
38
读取速度,GB/s
7.4
14.6
写入速度,GB/s
5.6
10.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2298
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
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