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AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
44
56
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
44
读取速度,GB/s
7.4
14.9
写入速度,GB/s
5.6
11.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2191
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
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