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AMD AE34G2139U2 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
63
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
63
读取速度,GB/s
7.4
17.0
写入速度,GB/s
5.6
8.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2061
AMD AE34G2139U2 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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