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AMD AE34G2139U2 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
62
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
62
读取速度,GB/s
7.4
15.9
写入速度,GB/s
5.6
7.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
1891
AMD AE34G2139U2 4GB RAM的比较
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Kingston XCCT36-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
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