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AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
AMD R744G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
76
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R744G2606U1S 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
76
读取速度,GB/s
6.3
15.7
写入速度,GB/s
5.2
8.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
1809
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
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