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AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
73
左右 -152% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
29
读取速度,GB/s
6.3
13.3
写入速度,GB/s
5.2
10.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2442
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
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