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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 -170% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
27
读取速度,GB/s
6.3
17.1
写入速度,GB/s
5.2
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3350
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
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