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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
73
左右 -192% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
25
读取速度,GB/s
6.3
13.7
写入速度,GB/s
5.2
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2792
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
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