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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
6.3
16.6
写入速度,GB/s
5.2
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3279
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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