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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
73
左右 -232% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
22
读取速度,GB/s
6.3
15.7
写入速度,GB/s
5.2
17.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3671
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
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Team Group Inc. 16GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
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