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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
43
73
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
43
读取速度,GB/s
6.3
16.7
写入速度,GB/s
5.2
15.3
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3304
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
PNY Electronics PNY 2GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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