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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
73
左右 -192% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
25
读取速度,GB/s
6.3
15.5
写入速度,GB/s
5.2
7.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2364
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
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