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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
6.3
13.5
写入速度,GB/s
5.2
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2652
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 996902 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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