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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
6.3
18.5
写入速度,GB/s
5.2
14.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3402
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
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