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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
73
左右 -135% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
31
读取速度,GB/s
6.3
16.2
写入速度,GB/s
5.2
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2971
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
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