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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
差异
规格
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
73
左右 -135% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
31
读取速度,GB/s
6.3
15.3
写入速度,GB/s
5.2
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2539
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
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