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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
55
73
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
55
读取速度,GB/s
6.3
16.4
写入速度,GB/s
5.2
13.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2612
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
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