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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 -170% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
27
读取速度,GB/s
6.3
17.5
写入速度,GB/s
5.2
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3693
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
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